日本 CKD 喜開理延遲真空電磁閥 HVL12 詳解

更新時間：2025-10-09

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日本 CKD 喜開理延遲真空電磁閥 HVL12 詳解（核心參數、優勢、型號組成）

日本 CKD 喜開理作為流體控制領域，其 HVL12 系列延遲真空電磁閥專為高精密真空系統設計，憑借精準的延遲控制與優異的密封性能，廣泛應用于半導體制造、真空鍍膜、電子元件封裝等工業場景。以下從核心參數、產品優勢、型號組成三方面進行全面解析。

HVL12 系列采用直動式結構與特殊密封技術，在真空保持與延遲控制方面表現突出，關鍵參數如下表所示：

參數類別	具體規格	說明來源
基礎參數	節流孔徑：1.2mm 配管口徑：Rc1/8、1/4″雙卡套接頭、NW10.16 真空夾緊接頭 Cv 值：0.05
真空性能	使用壓力范圍：1.3×10??～2.0×10?Pa（abs）閥座泄漏量：≤1.3×10??Pa?m3/s（He）外部泄漏量：≤1.3×10??Pa?m3/s（He）
壓力特性	最高工作壓力差：0.2MPa 耐壓力：0.5MPa
電氣參數	額定電壓：DC24V、AC100V、AC200V 電壓波動范圍：額定電壓 ±10% 功耗：4W 延遲時間：AC≤8s、DC≤10s（誤差 ±35%）
環境適配	流體溫度：5～50℃ 環境溫度：0～50℃ 適用流體：干燥空氣、氮氣
物理參數	安裝方式：自由安裝重量：AC 型 0.5kg、DC 型 0.2kg（Rc1/8 接口）動作頻率：≤0.5 次 / 分鐘

注：流體需保持干燥，否則可能顯著縮短產品耐久性；DC 型具有極性，需按紅正黑負接線。

采用特殊密封材質與閥座結構設計，泄漏量控制在 1.3×10??Pa?m3/s 以下，可滿足高真空系統的嚴苛要求。在半導體晶圓制造等場景中，能有效防止外部雜質侵入真空腔室，避免產品污染導致的良率下降。同時，斷電后可維持真空狀態，配合延遲功能實現腔室保護。

內置斷電延遲模塊，可根據電壓類型設定 8 秒（AC）或 10 秒（DC）的延遲時間，精準控制真空腔室的大氣開放時序。在真空鍍膜設備中，能確保真空泵與腔室之間的管路先泄壓，再開放大氣，避免停電時油分倒灌污染腔室，降低設備維護成本。

采用薄型線圈與一體化閥體設計，重量最輕僅 0.2kg，且支持自由安裝方式，可靈活嵌入真空鍍膜機、電子束加工機等空間受限的設備內部。搭配多種標準化真空接頭，能快速與現有管路對接，減少安裝工時。

覆蓋從高真空（1.3×10??Pa）到常壓（2.0×10?Pa）的全壓力范圍，適配空氣、氮氣等多種惰性氣體介質。提供 DC24V、AC200V 等常見電壓選項，可直接匹配工業設備的電源系統，無需額外配置變壓器。

CKD HVL12 系列型號采用模塊化編碼規則，通過后綴組合明確產品規格，以典型型號HVL12-4S6-5-AC200V為例，各部分含義如下：

型號分段	代碼含義	可選規格示例
HVL12	系列代號：HVL 表示延遲真空電磁閥，12 為基礎型號標識	固定為 HVL12
4S6	結構參數：前兩位表示節流孔徑相關規格，后一位為配管接口類型	4S6（Rc1/8 接口）、5S8（1/4″雙卡套）
5	安裝與功能選項：代表標準安裝方式及基礎功能配置	5（標準型）、6（帶手動應急機構）
AC200V	電氣規格：明確額定電壓類型與數值	DC24V、AC100V、AC200V

該產品目前已廣泛應用于三大領域：一是電子制造，如 LCD 面板真空貼合設備的腔室壓力控制；二是精密儀器，在分子加速器的真空管路中實現安全泄壓；三是新材料加工，配合真空燒結爐完成陶瓷制品的無氧燒結過程。

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